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IGBT相关技术文章H桥IGBT功率单元及试验装置的母线结构
H桥IGBT功率单元
本文中的实验装置是一台单相 H 桥IGBT 功率单元，其拓扑结构如图1 所示。其中，电容C1、C2 各由四个6800 μF 电解电容并联组成，开关器件为三菱公司的半桥IGBT 模块CM300DY－24A。
实验装置中直流母线的机械结构如图2 所示，图中的A～F 与图1 相应标注表示同一位置。其中，A 接直流电容正极，与之相连的母线称为正母线（为便于测量母线电流，分成正母线1 和正母线2 两部分）；相应地，B 接直流电容负极，与之相连的母线称为负母线；C、D 和E、F 分别接接两个半桥IGBT 模块。
试验装置的母线结构
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