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台厂杰力看好车用需求,mosfet市场仍需求大于供给
IR2110应用的典型连接图
IR2110的典型应用连接见图12-37。通常，它的输出级的工作电源是一悬浮电源，这是通过一种自举技术由固定的电源得来的。充电二极管VD的耐压能力必须大于高压母线的峰值电压，为了减小功耗，推荐采用一个快恢复的二极管。自举电容C的值依赖于开关频率，占空比和功率MOSFET或IGBT栅极的充电需要，应注意的是电容两端耐压不允许低于欠电压封锁临界值，否则将产生保护性关断。对于5kHz以上的开关应用，通常采用０．１f/F的电容是合适的。
为了向需开关的容性负载提供瞬态电流，应用中应在vcc和COM间、VDD和y鹅间连接两个旁路电容，这两个电容及VB和Vs间的储能电容都要与器件就近连接。建议Vcc上的旁路电容用一个n1VF的陶瓷电容和一个iFeF的钽电容并联，而逻辑电源V∞上有一个o_ipiF的陶瓷电容就足够了。
大电流的MOSFET或IGBT相对需要较大的栅极驱动能力，IR2110的输出即使对这些器件也可进行快速的驱动。为了尽量减小栅极驱动电路中的电感，每个MOSFET应分别连接到JR2110的2脚和5脚作为栅极驱动信号的反馈。对于较小功率的MOSFET或IGBT可在输出处串一个栅极电阻，栅极电阻的值依赖于电磁兼容（EMI）的需要、开关损耗及最大允许dvldt值。
IR2110典型应用电路
关于MOSFET就介绍完了，您有什么想法可以联系小编。
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